开关电源进入高效率功率变换时代
电子设备特别是计算机的不断小型化，要求供电电源的体积随之小型化，因而开关电源开始替代以笨重的工频变压器为特征的线性稳压电源，同时电源效率得到明显提高。电源体积的减小意味着散热能力的变差，因而要求电源的功耗变小，即在输出功率不变的前提下，效率必须提高。
相同体积的电源的功率耗散基本相同，因此，欲得到更大的输出功率，必须提高效率，同时，高的电源效率可以有效地减小功率半导体器件的应力，有利于提高其可靠性。
功率半导体器件的进步：高效率功率变换的根本
功率半导体器件的进步特别是PowerMOSFET的进步引发出功率变换的一系列的进步：PowerMOSFET的极快的开关速度，使开关电源的开关频率从双极晶体管的20kHz提高到100kHz以上，有效地减小了无源储能元件(电感、电容)的体积。低压PowerMOSFET使低压同步整流成为现实，器件的导通电压从肖特基二极管的0.5V左右，降低到同步整流器的0.1V甚至更低，使低压整流器的效率至少提高了10%。高压PowerMOSFET的导通压降和开关特性的改善，提高了开关电源的初级效率。功率半导体器件的功耗的降低也使散热器和整机的体积减小。
电源界有一个不成文的观点：不稳压的比稳压的效率高、不隔离的比隔离的效率高、窄范围输入电压的比宽范围输入的效率高。Vicor的48V输入电源模块的效率达到97%。交流输入开关电源需要功率因数校正，由于功率因数校正已具有稳压功能，在对输出纹波要求不高的应用(如输出接有蓄电池或超级电容器)，可以采用功率因数校正加不调节的隔离变换器电路拓扑，国外在1986年已有产品，效率到达93%以上。
相同体积的电源的功率耗散基本相同，因此，欲得到更大的输出功率，必须提高效率，同时，高的电源效率可以有效地减小功率半导体器件的应力，有利于提高其可靠性。
功率半导体器件的进步：高效率功率变换的根本
功率半导体器件的进步特别是PowerMOSFET的进步引发出功率变换的一系列的进步：PowerMOSFET的极快的开关速度，使开关电源的开关频率从双极晶体管的20kHz提高到100kHz以上，有效地减小了无源储能元件(电感、电容)的体积。低压PowerMOSFET使低压同步整流成为现实，器件的导通电压从肖特基二极管的0.5V左右，降低到同步整流器的0.1V甚至更低，使低压整流器的效率至少提高了10%。高压PowerMOSFET的导通压降和开关特性的改善，提高了开关电源的初级效率。功率半导体器件的功耗的降低也使散热器和整机的体积减小。
电源界有一个不成文的观点：不稳压的比稳压的效率高、不隔离的比隔离的效率高、窄范围输入电压的比宽范围输入的效率高。Vicor的48V输入电源模块的效率达到97%。交流输入开关电源需要功率因数校正，由于功率因数校正已具有稳压功能，在对输出纹波要求不高的应用(如输出接有蓄电池或超级电容器)，可以采用功率因数校正加不调节的隔离变换器电路拓扑，国外在1986年已有产品，效率到达93%以上。
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